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台湾EMT7065霍尔效应?/span>
霍尔效应仪可以测野/span>Si SiGe SiC GaAs InGaAs InP GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数、/span>EMT7065霍尔效应仪运用先进的Keithley电子仪表,和我们在极端的条件下能够很好的整合一整套系统,我们的霍尔效应仪温度范围可以达?K-1000K,磁场可以升级到9T、/span>
可以结合许多极端环境平台9/span>
仍span>4K?span>1000K温度不改变样品架
制冷机温?/span>可达?/span>1000K
宽泛的测量范围无需跟换腔体进行操作
坚固设计并安装在冷却器的上端,换样品时不会接触到、/span>
许多标准的安装配置可?span>-可定制适合你的冷端或者样品架安装配置
可以使用许多不同的封闭式和开放式循环制冷朹/span>
提供高温系统以及温度控制?/span>
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