HTGB高温栅偏测试系统

HTGB高温栅偏测试系统是一款动态ＨＴＧＢ测试系统。其优点是软件控制的测试过程、大量的测试设备和调整试验参数的灵活性。该系统用高压变化来刺激被测器件的栅极在许多应用中，特别是在新技术方面。用高压变化对器件参数的影响在静态ＨＴＧＢ测试中是看不到的。对于像碳化硅（ＳｉＣ）和氮化镓（ＧａＮ）这样的新型宽禁带器件来说，这种动�?/span>HTGB技术尤其重要、�/span>

这套测试系统提供了栅阈值电压的现场（就地）测量。通过中断刺激，切换到测量电路，然后继续刺激全自动。每个ＤＵＴ停止刺激和测量之间的时间是恒定的，以避免不同结果的影响。没有这些预防措施，可重复性和可比性设备会有限制、�/span>

全自动测量取代了通常需要的手动测量读数节省时间和成本，同时提高观察视野。测量的阈值电压分为Ｖｔｈ（向上）和Ｖｔｈ（向下），每一个都有一个可配置预处理阶段、�/span>

测试通道９�/span>

工作台：１０，２０，４０�?/span>

机架（４２　Ｕ）：　４０、８０、１２０、１６０、２００、２４０　ＤＵＴ：

全自动原位Ｖｔｈ测量９�/span>

测量时间间隔

可定制的门刺激曲线（预处理（�/span>

将测量数据记录到ＴＤＭＳ文件�?/span>

测试参数９�/span>

总测试时间（０－１５００ｈ）

外加漏极电压（０Ｖ－２０００Ｖ）

冷热板温度：２０℃－２００℃

门刺激Ｖ＋　（０Ｖ－３０Ｖ）、Ｖ－　（－１５Ｖ－０Ｖ（�/span>

门频率（１００Ｈｚ　－　２００ｋＨｚ（�/span>

Ｖｔｈ测量间隔（１０秒）

Ｖ测量电压曲纾�/span>

工作原理９�/span>

所设置的测试系统对髗�/span>du/dt的栅极进行刺激，以测试这些效应的影响、�/span>

频率比应用中更快，以加速测试、�/span>

采用多次原位测量，显示了趋势和漂移、�/span>

应用背景

?宽频带器仵�/span>(SiC/GaN)在暴露于髗�/span>du/dt时显示出新的效果、�/span>

?这些效果会影哌�/span>DUT的关键特性，从而影响应�?/span>

?常规测试(H(3)TRB/HTGB)不存在这些影哌�/span>

?全球标准化组织都在致力于发布动态测试标凅�/span>

?作为德国汽车半导体工作组(ECPE AQG 324)的一部分参与该过程、�/span>

动态高温栅偏置功率半导体可靠性测试系统采用模块化设计，使其可扩展性从40个ＤＵＴ�?/span>240个ＤＵＴ的单个机架。这样就可以在较小的占用空间上进行有效的测试、�/span>

ＤＵＴ被安排在抽屉里毎�/span>40个ＤＵＴ，在应用或工程环境中使用时，可根据要求提供桌面变体、�/span>这个桌面是一种适合工程实验室使用的小架子。它包含一个抽屉和额外的改变，允许更多的仪器或刺激来获得更多的观察视野，非常适合SiC功率器件可靠性测试、�/span>