看了CTS AP200型CMP化学机械抛光机的用户又看亅/p>
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**、产品简介:
韩国CTS公司的AP200型CMP抛光机是一款科研级的CMP系统,采用CTS公司工业级的设计理念,为科研工作者及先进制程开发公司提供了一套研究级别的高端设备,可兼容4寸,6寸,8寸样品、/span>
第二、产品主要特色:
1、CMP抛光头:采用气囊加载模式,核心区,边缘区,保持环三区压力控制,可得到良好的工业级抛光效果:/span>
2、自动上下片,自动抛光,干进湿出:/span>
3、抛光垫修整器:摆臂式设计,?0个传感器分别控制10个区域的下压力,可保证抛光垫高水平修整;
4、抛光垫修整器:具有在线修整与离线修整两种模式;
5,工艺数据可实时监测:/span>
6、可存储多个Recipe.
第三、核心技术参数:
抛光夳/span> | 兼容4寸,6寸,8寷/span> |
抛光头摆动范図/span> | 15mm |
抛光头转逞/span> | 0 -200 rpm |
抛光头加压方弎/span> | 气囊柔性加压背压功能(3区加压) |
抛光头压力范図/span> | 0.14-14 psi |
抛光盘尺寷/span> | 20英寸 |
抛光盘转逞/span> | 0 -200 rpm |
蠕动泴/span> | 2?/span> |
抛光液流逞/span> | 20-500 cc/min |
抛光垫修整器分区 | 10匹/span> |
抛光垫修整器在线扫描速度 | 10sweeps/min |
抛光垫修整器下压劚/span> | 3-20lbs |
抛光垫修整器转逞/span> | 0-150rpm |
CMP后片内非均匀性WIWNU 1sigma,去?mm | <5% |
CMP后片间非均匀性WTWNU 1sigma,去?mm | <3% |
仪器尺寸 | 100020302100(W x L x H mm) |
冷却系统 | 可逈/span> |
四,应用实例9/span>
?CMP工艺 Si CMP 氧化 CMP(BPSG TEOS ThOx) 金属 CMP(W Cu) 介质膜,STI筈/span>
?工艺开 可协助客户进行各类材?薄膜等的CMP工艺技术开叐/span>
暂无数据