MMR Hall Effect Measurement System

controlled continuously variable temperature

MMR可控连续变温霍尔效应测试系统

1.功能描述� 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

2.测试范围�Si� SiGe� SiC� GaAs� InGaAs� InP� GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度� 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数、�/span>

3.磁场强度９�/span>0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择

4.温度区域:70K ~730K�80K ~580K�80K ~730K�300K ~730K

5.电阻率范围：10^-6~10¹³Ohm*cm

6.电阻范围９�span>10 m Ohms~ 10G Ohms

7.载流子浓度：10²~10²²cm^-3

8.迁移玆�10^-2~10⁹cm²/volt*sec

仪器优点９�/span>

1.采用van der Pauw法测诔�

2.**可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 �?

3.配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制，永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全� 动。测试数据能够方便的储存和导凹�

4.模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系绞�

5.测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更众�

6.在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试�?*变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连� 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测诔�/span>

7.允许在一定气体环境下测试

8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻玆�/span>