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锗片?strong>锗衬应/strong>
1、晶体习性与几何描述9/strong>
该晶体使用直拉法在晶体(100)方向延伸。圆柱形表面(表面光洁度小于2.5 m RMS)。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时,其当量直径为:
D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重野/span>
L-----晶体长度
测量值是四舍五入*小可达到毫米级别。为了便于订单出货,我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求,提供定制服务、/span>
2、纯度:残留载荷
**允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关,请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算、/span>
同轴探测器:同轴探测器适用于下列公式:
Nmax = 每立方厘?*杂质含量
VD = 耗尽层电 = 5000 V
o = 介电常数 = 8?5 10-14 F/cm
r = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1? 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半徃/span>
r2 = 探测器外孔半徃/span>
锗片?strong>锗衬应/strong>
3、纯?/strong>9/strong>
假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀,内?毫米的内孔半径, 适用公式变为
D = 晶体外表
平面探测器:平面探测器(厚度小于2厘米)适用于以下公式:
d=探测器外观尺寸厚?/span>
径向分散载荷子(**值)
迁移:霍尔迁秺/span>
性能 P 型晶 H 10000 cm2/V.s
N 型晶 H 10000 cm2/V.s
能级 P 型晶 通过深能瞬态测量,Cutot 4.5*109 cm-3
N 型晶 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108cm-3
晶体主要指标 P 型晶 N 型晶
错位密度 10000 5000
星型结构 3 3
镶嵌结构 5 5
电阻 0.02-0.04 ohm.cm
4、高纯度高纯锖/span>HPGe晶体
说明9/span>
高纯锗晶佒/span> | ||
产地 | 法国 | |
物理性质 | 颜色 | 银灰艱/span> |
属?/span> | 半导体材斘/span> | |
密度 | 5.32g/cm3 | |
熔点 | 937.2ℂ/span> | |
沸点 | 2830ℂ/span> | |
技术指栆/span> | 材料均匀?/span> | 特级 |
光洁?/span> | 特优 | |
纯度 | 99.999 999 99%-99.999 999 999 99%?0 N-13N) | |
制备方式 | 锗单晶是?/span>区熔锗锭丹/span>原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体、/span> | |
产品规格 | P?/span>N型按客户要求定制 | |
产品用逓/span> | 超高纯度+span>红外器件?#947;辐射探测?/span> | |
P型N型高纯锗 | 在高纯金属锗中掺入三价元素如铞/span>?/span>镒/span>?/span>硻/span>等,得到p型锗:/span> 在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等,得到n型锗、/span> | |
提供各种规格锗单晶、锗片(锗衬应/strong>),包含8英寸及以上的规格锗片 |
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