锗片、锗衬底

1、晶体习性与几何描述９�/strong>

该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 ��m RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：

D ----外形尺寸当量直径

W----锗晶体重野�/span>

L-----晶体长度

测量值是四舍五入*小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务、�/span>

2、纯度：残留载荷

**允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算、�/span>

同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式：

N_max= 每立方厘�?*杂质含量

VD = 耗尽层电� = 5000 V

��o = 介电常数 = 8�?5 10-14 F/cm

��r = 相对介电常数(Ge) = 16

q = 电子电荷1�? 10-19C (elementary charge)

r1 = 探测器内孔半徃�/span>

r2 = 探测器外孔半徃�/span>

锗片、锗衬底

3、纯�?/strong>９�/strong>

假如晶体表面半径减少2mm，由于锂的漫射和刻蚀，内�?毫米的内孔半径， 适用公式变为�

D = 晶体外表�

平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：

d=探测器外观尺寸厚�?/span>

径向分散载荷子（**值）

迁移：霍尔迁秺�/span>

性能� P 型晶� ��_H� 10000 cm²/V.s

N 型晶� ��_H� 10000 cm²/V.s

能级� P 型晶� 通过深能瞬态测量，Cu_tot� 4.5*10⁹cm^-3

N 型晶� 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*10⁸cm^-3

晶体主要指标�P 型晶� N 型晶�

错位密度 � 10000 � 5000

星型结构 � 3 � 3

镶嵌结构 � 5 � 5

电阻� 0.02-0.04 ohm.cm

4、高纯度高纯锖�/span>HPGe晶体

说明９�/span>

高纯锗晶佒�/span>
产地	法国
物理性质	颜色	银灰艱�/span>
	属�?/span>	半导体材斘�/span>
	密度	5.32g/cm3
	熔点	937.2ℂ�/span>
	沸点	2830ℂ�/span>
技术指栆�/span>	材料均匀�?/span>	特级
	光洁�?/span>	特优
	纯度	99.999 999 99%-99.999 999 999 99%�?0N-13N)
制备方式	锗单晶是�?/span>区熔锗锭丹�/span>原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体、�/span>
产品规格	P�?/span>N型按客户要求定制
产品用逓�/span>	超高纯度＋�span>红外器件�?#947;辐射探测�?/span>
P型N型高纯锗	在高纯金属锗中掺入三价元素如铞�/span>�?/span>镒�/span>�?/span>硻�/span>等，得到p型锗：�/span> 在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗、�/span>
	提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包�?英寸及以上的规格锗片