反应离子刻蚀

NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀概述９�/p>

NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冶�/span>RF样品.具有不锈钢柜子以叉�/span>13"的上盖式圆柱形铝腓�/span>＋�/span>便于晶圆片装轼�/span>.腔体有两个端叢�/span>:一个带月�/span>2"的视窖�/span>＋�/span>另一个空置用于诊�?/span>.该系统可以支�?*�?/span>12“�/span>的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达�?/span>10^-6Torr或更小的极限真空。该系统系统可以�?/span>20mTorr�?/span>8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀＋�/span>一�?/span>250l/s的涡轮分子泵＋�/span>滤网过滤�?/span>＋�/span>以及一�?/span>10cfm的机械泵(�?/span>Formblin泵油).RF射频功率通过600W�?3.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏厊�/span>＋�/span>该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要、�/span>

该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力叉�/span>DC直流偏压将以图形格式实时显示＋�/span>流量及功率则以数字形式实时显礹�/span>.系统提供密码保护的四级访问功胼�/span>:操作员级、工程师级、工艺人员级＋�/span>以及维护人员�?/span>.允许半自动模弎�/span>(工程师模弎�/span>)、写程序模式(工艺模式)�和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性、�/span>

NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀产品特点９�/p>

• 铝质腔体或不锈钢腔体

• 不锈钢立柛�/span>

• 能够刻蚀硅的化合�?/span>(~400? /min)以及金属

• 典型的硅刻蚀速率＋�/span>400 ?/min

• 高达12“�/span>的阳极氧化铝RF样品�?/span>

• 水冷及加热的RF样品�?/span>

• 大自偏压

• 淋浴头气流分市�/span>

• 极限真空5x10-7Torr＋�/span>20分钟内可以达�?/span>10-6Torr级别

• 涡轮分子泴�/span>

• *多支�?/span>8�?/span>MFC

• 无绕曲气体管�?/span>

• 自动下游压力控制

• 双刻蚀能力支持９�/span>RIE以及PE刻蚀（可选）

• 终点监测

• 气动升降顶盖

• 自动上下载片

• 预真空锁

• 基于LabView软件皃�/span>PC计算机全自动控制

• 菜单驱动＋�/span>4级密码访问保抣�/span>

• 完全的安全联�?/span>

• 可逈�/span>ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀

NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀Features９�/p>

• Aluminum or Stainless Steel Chamber

• Stainless Steel Cabinet

• Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals

• Typical Si etch rate� 400 ?/min

• Up to 12� Anodized RF Platen

• Water Cooled and Heated RF Platen

• Large Self Bias

• Shower Head gas distribution

• Approximately 10^-6Torr < 20 minutes� ~ 5 x10^-7Torr base pressure

• Turbomolecular Pump

• Up to eight MFCs

• No flexing of gas lines

• Down Stream Pressure Control

• Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option（�/span>

• End Point Detection

• Pneumatically Lifted Top

• Automatic loading/unloading

• Load Lock

• PC Controlled with LabVIEW

• Recipe Driven� Password Protected

• ully Safety Interlocked

• Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch