ICP等离子刻蚀

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统概述：自动上下载片，是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，具有高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀能力。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等、�/p>

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统主要特点９�/p>

• 基于PC控制的立柜式百级ICP-RIE刻蚀系统，拥有快速的刻蚀能力：�/span>

• 配套Lab View软件，菜单驱动，自动记录数据：�/span>

• 触摸屏监控；

• 全自动系统，带安全联锁；

• 四级权限，带密码保护：�/span>

• 自动上下载片：�/span>

• 带Load Lock预真空锁：�/span>

• 可以支持ICP和RIE两种刻蚀模式：�/span>

• 实时显示真空、功率、反射功率图表，以及流量实时显示：�/span>

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统配置内容９�/p>

• 外观尺寸：紧凑型立柜式设计，不锈钢腔体，外观尺寸�?4“�span>(W) x 26“�span>(L) x62“�span>(H)：�/span>

• 等离子源：NM-ICP平面电感耦合等离子体源，带有自动调谐器，激活面积可以达�?/span>8“�/span>：�/span>

• 处理腔体�?3“�span>的圆柱形超净腔体，材质为阳极电镀铝。晶片通过气动顶盖装载，腔体带有上载安全锁，用户可以通过PC控制�?*可支持的晶圆尺寸�?“�span>。腔体带�?“�span>的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置，提供8“�span>区域的气体均匀分布。系统带暗区保护、�/span>

• 样品台：6“�span>的托盘夹具，能够支持6“�span>的Wafer。可以支持冷却功能，包含气动截止阀：�/span>

• 流量控制：支�?个或更多皃�/span>MFC’s用于ICP高速刻蚀，带气动截止阀，所有的慡�/span>/快通道采用电磁阀和气动阀控制，电抛光的不锈钢气体管路带有VCR咋�/span>VCO(压控振荡�?/span>)配件，所有导管以尽可能短的导轨密封设计，从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后，采�?/span>N2自动冲洗、�/span>

• 真空系统：泵组包�?/span>涡轮分子泵和旋叶真空泵、�/span>

• RF电源９�/span>13.56MHz，带自动调谐功能皃�/span>1200W射频电源＋�/span>作为ICP源。另外，带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压、�/span>

• 操作控制：整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统，实现PC全自动控制。MFC，阀和顶盖都是气动式的，都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示，而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制、�/span>

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统应用领域９�/p>

• LED

• MEMS

• 光栅

• 激光器

• 微光�?/p>

• 声光器件

• 高频器件/功率器件

• 量子器件

• 光子晶体

• 探测器等