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俄罗?/span>样本
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半导体晶圆片的无损检测国附span>SEMI标准采纳了傅里叶红外光谱法、span>FSM1201S半导体晶圆分析仪可以根据预设的程序(可以通过软件窗口图文预设1-9个测定点)对76?span>100?span> 125?span>150 以及200mm直径晶圆进行自动分析。单点分析时间不超过20秒、span>
主要技术指标:
光谱范围,cm-1 | 400?800 |
光谱分辨玆span> cm -1 | 1 |
样品中光斑直徃span> mm | 6 |
**的晶圆直徃span> mm | 200 (300需预定) |
分析台定位精?span> mm | 0.5 |
单点标准分析时间 sec | 20 |
仪器尺寸 mm | 670x650x250 |
仪器重量 kg | 37 |
适用以下标准方法9span>
1(/span>硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法(晶圆厚?span>0.4}span>2mm(span>+/span>浓度范围9span>(5x1015?x1018)5x1015-3 国际标准: SEMI MF1188 Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption With Short Baseline);
2(/span>硅中代位碳原子含量红外吸收测量方泔/span>(晶圆厚?/span>0.4}span>2mm(span>+/span>检测范围:(1016?x1017)1016-3国际标准:SEMI MF1391 TEST METHOD FOR SUBSTITUTIONAL ATOMIC CARBON CONTENT OF SILICON BY INFRARED ABSORPTION
3(/span>硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方泔/span> 国际标准:SEMI MF951 Test Method for Determination if Radial Interstitial Oxygen Variation in Silicon Wafers);
4(/span>硄/span>外延层厚度的分析 (国际标准:SEMI MF95 Thickness of epitaxial layers for silicon n-n+ and p-p+ structures: (0.5?0)0.1 ?m (10?00)1% ?m);
5(/span>SOS体系硄/span>外延层厚度的分析Thickness of silicon epitaxial layers in SOS structures:(0.1?0) 0.01 m
6(/span>BPSG中硼和磷浓度+span>PSG中磷浓度的分枏span>Boron and/or phosphorus concentration in BPSG/PSG on silicon: (1?0) 0.2 Wt%、span>
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