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欧洲高性能霍尔效应测量系统，广泛应用于半导体材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可对多种重要物理参量如：电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、磁电阻和V-I曲线等测量和分析：/strong>
可测试材斘半导体材料：包括 SiGe SiC InAs InGaAs InP AlGaAs and HgCdTe，砖石铁，氧体材斘
低阻材料：包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料
高阻材料：包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器
技术参数：
电流溏
测量范围: 1nA - 10 mA
输出电压: +/- 10V (+/-20V)
输出电阻: typical 1013Ohms
电流分辨玆 25 pA
电压测量９/p>
测量范围: 10 mV - 10V（自动量程选择（/p>
分辨 : <500nV
输入电阻: > 1013Ohms
磁场范围?.45T~2T（牛津磁体）：/p>
电阻测量范围: 1x10-3Ohm - 1x109Ohm
电阻率测量范図 1 x10-5Ohm*cm - 1x107Ohm*cm
载流子浓度范図 107cm-3- 1021cm-3
主要特点９/strong>
电阻率Rho测量：/p>
霍尔系数RH测量：/p>
V-I曲线测量：/p>
VH电压测量：/p>
载流子浓度测量；
载流子迁移率测量：/p>
载流子形式测量（n or p（
磁电阻等：/p>
独有的非线性电压补偿功能；
磁场大小可调：/p>
自动磁场校准：/p>
低温选件?7K：/p>
Van der Pauw和桥式barshape测量：/strong>
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