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特色
高性能电子光学系统
二次电子分辨玆 顶位二次电子探测?2.0 nm at 1kV)）/p>
高灵敏度: 高效PD-BSD 超强的低加速电压性能，低?00 V成像
大束?>200 nA): 便于高效微区分析
性能优异
压力可变: 具有优异的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配备高灵敏度低真空探测?UVD)）/p>
开仓室快速简单换?**样品尺寸: 200 mm x 80 mmH)
微区分析: EDS WDS EBSD等等
*９/p>
选配附件
规格
| 项目 | 内容 | |
|---|---|---|
| 分辨玆/th> | 1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 减速模弎span>*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模弎span>*2 |
|
| 放大倍率 | 10 - 600?00 (底片倍率) 18 - 1?00?00 (800 600 像素) 30 - 1?00?00 (1?80 960 像素) |
|
| 电子光学系统 | 电子?/th> | ZrO /W 肖特基式电子?/td> |
| 加速电厊/th> | 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步进) | |
| 着陆电厊/th> | 减速模弎 0.1 - 2.0 kV? | |
| **束流 | > 200 nA | |
| 探测?/th> | 低位二次电子探测?/td> | |
| 低真空模弎span>*2 | 真空范围: 10 - 300 Pa | |
| 马达?/th> | 马达台控刵/th> | 5 - 轴自 (优中? |
| 可动范围 | X??00mm Y??0mm Z??5mm T?20?0 R?60 |
|
| **样品尺寸 | **直径: 200 mm **高度: 80 mm |
|
| 选配探测?/th> |
|
|
*1９/p>
减速功能（包含高分辨率顶位二次电子探测器）
*2９/p>
低真空功能（包含5分割半导体探测器（/p>
*3９/p>
空压?本地采购)
应用案例
样品: 氧化锌粉?/p>
着陆电厊 1 kV ; 倍率: 120?00x
低电压下顶位二次电子探测器成僎/p>
样品: PTFE
加速电厊 3 kV ; 倍率: 13?00x
UVD探测器可在低加速电?3 kV)和低真空
(40 Pa) 下获得高质量图像
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