Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher

氢氟酸气相蚀刻系绞�/strong>

MEMS领域设备：准干法氢氟酸气相蚀刻系统，4“�?”�?“范围适用、�/p>

氢氟酸蚀刻二氧化硅是微电子行业中的一道传统工艺，多以湿法为主，但是湿法工艺容易造成硅表面自然氧化层无法完全去除，进而影响金属和硅的欧姆接触、�/p>

本氢氟酸气相蚀刻是一套准干法工艺设备，通过对基底的加热，晶圆表面的水分可以很好的控制。由

于晶圆完全不与液体接触，可以进行无粘着MEMS释放、�/p>

特点９�/strong>

安全酸处琅�/p>

可重复利用HF

晶圆夹紧机构

适于各种尺寸的晶圅�/p>

无需安装（装置在湿法酸工作台中使用）

上部向下晶圆蚀刺�/p>

背面保护

低运行成�?/p>

应用９�/p>

无粘着MEMS释放

结构减薄

SOI基底上的结构免切割释攽�/p>

蚀刻速率�?�?0 ��m/hour可调（无粘着（�/p>

单面二氧化硅蚀刻（蚀刻过程背面保护）

4英寸产品型号：VPE100

6英寸产品型号：VPE150

8英寸产品型号：VPE200

蚀刻液�?0%HF有机溶液

蚀刻速率�?-30 ��m/hour

加热温度�?5-60ℂ�/p>

反应室温度控刵�/strong>

在反应室内，二氧化硅的腐蚀速率随液体HF的温度略有变化。氢氟酸的温度取决于洁净室的环境温度。此外，在长时间的蚀刻过程中，HF会被加热，导致晶圆之间的蚀刻速率增加，直到系统稳定下来。为了稳定腐蚀速率，我们在容器中开发了一个温度可控的HF反应室。高频的温度可以通过附加的控制器来调节、�/p>