看了IDONUS,紫外LED光刻曝光系统的用户又看了
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Idonus基于高功率LED和高档微透镜阵列的基础上提出了一 GE MING性的紫外光照系统、/p>
这个产品应用于光刻胶曝光工艺,适用多种基材。光照质量保证了高的同质性的临界尺寸和整个面上的侧壁角。实际上,由于使用了一种完全远心的光学,我们的设计提供?*的稳定光照条件,即整个表面的高同质性的强度和低的发散角、/p>
可以根据用户需求进行产品开发定制,可以极大缩短您的想法变成产品的时间、/p>
LED BENEFITS优点
目前随着LED技术的发展,紫外LED表现出了比汞光源更大的优势、/p>
长寿命LED,测试不需要耗材
不需要每天校准,即刻稳定光照
有限的发热,这降低了空气冷却费用
低功率消耖/p>
光源仅仅在曝光时开启(不需要快门)
用户可以根据需求进行照射系统定制、/p>
也可以按照用户旧机器的尺寸设计照射系统,以替代旧的机器上的汞灯照射系统、/p>
TYPICAL PERFORMANCES典型参数
分辨 ?.5 m
光学功率 ?0 to 200 mW/cm2
曝光区域 ?0x50 to 300x300 mm2
光学辐照不均匀 2%
ZUI大发散角(FWHM) ?#177;1.5to 3
波长 ?65 / 385 / 405 nm
光谱半宽 ?2 nm
设备尺寸 65x30x30 cm3
总功 ?0 to 1200 W
EXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS系统规格举例 可能的曝光系统的不同配置如下表所示,系统可以根据您的需要设计、/p> |
|||
System Type系统型号 |
A |
B |
C |
Resolution [um] 分辨玆/p> |
2 |
1 |
1 |
Optical power [mW/cm2] 光学功率 |
42 |
152 |
165 |
Exposition area [mm2] 曝光面积 |
80x80 |
100x100 |
300x300 |
Optical irradiance inhomogeneity [%] 光照幅度不均匀?/p> |
2 |
2 |
2 |
Max divergence angle [] (Full Width Half Maximum) **发散角(半宽幅) |
2.5 |
1.5 |
1.5 |
Wavelength [nm] 波长 |
405 |
365 |
385 |
Spectrum half width [nm] 光谱半宽幄/p> |
12 |
12 |
12 |
System size [cm] 系统尺寸 |
65x30x30 |
65x30x30 |
1100x60x60 |
Power consumption [W] 功耖/p> |
20 |
180 |
1200 |
暂无数据