GaSe（硒化镓）太赫兹晶体

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，�?1THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群�?00K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大�?4pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制、�/span>

注：GaSe晶体的解理面�?001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎、�/span>

产品特点

� 太赫兹振荡能达到有非常宽的频埞�/span>

� 抗损伤阈值高

� 非线性系数大

� CO2激光的SHG

� 多种尺寸可逈�/span>

� 客户导向的解决方桇�/span>

� 接受客户定制服务

产品应用

� 太赫兹时域系绞�/span>

� 太赫兹源晶体

� 中远红外气体探测

� CO2激光的SHG

� THZ实验光源

� 太赫兹成僎�/span>

技术参�?/span>

GaSe晶体的透过率曲纾�/span>

实验室光路系绞�/span>

EOS测量及反演结枛�/span>

咨询电话９�/span>021-64149583�?/span>021-56461550�?/span>021-65061775

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