参考价栻/p>面议
型号
NextCVD系列多功能宽密度等离子体CVD(ICP-LP-PE-CVD(/span>品牌
上海巨纳产地
上海样本
暂无测量范围9/p>详见内容介绍
误差率:
*分辨率:
*重现性:
*仪器原理9/p>其他
分散方式9/p>*
测量时间9/p>*
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巨纳集团NextCVD系列多功能宽密度等离子体CVD(ICP-LP-PE-CVD)结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点,可在宽密度工艺范围(109-1013 cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD,具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围,是目前功能强大的等离子体CVD系统、/p>
NextCVD 的原创性高密度低频平板式电感耦合等离子体系统。频率可调节,从低频0.5- 4MHz范围内调节;电感天线是平板式,可根据客户要求改变天线的形状、大小,从而实现两种不同的放电模式:电感放电和电容放电,两种模式下都能实现稳定放电,两种模式的等离子体特性截然不同,可以实现不同的功能、/p>
多功能宽密度等离子体等离子体改性及刻蚀产品特点
基片台可电动旋转、可加热、可升降
配装手动高真空插板阀、手动角阀、电脑复合真空计
由于采用了超高真空密封技术,极限真空度高,沉积室可进?0-5Pa量级,可保证更高的镀膜纯净度,提高镀膜质野/p>
自动监控和保护功能,包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护筈/p>
配备可开关观察窗,方便观察及取样?/p>
设备真空系统采用分子?机械泵真空机练/p>
采用磁力耦合传动密封技术密封运动部仵/p>
真空规用金属规,刀口金属密?/p>
性能技术参?/p>
设备极限真空度:5.0×10-5Pa(等离子体沉积腔室)?.0×10-1Pa进样宣/p>
高密度等离子体:电子密度高能达到1013 cm-3
气体物离化率?-10%
电感耦合离子体电源发生器频率?.5-4 MHz可调,功率可?-5000 W调节
电感天线有椭圆和圆形两种,相应等离子源石英窗口形状也有椭圆和圆形两种,相应等离子体放电模式也有电感和电容模式两种,可根据用途选择。等离子体源石英窗口大小可根据要求进行调芁/p>
供电:~380V三相供电系统(容?KW),冷却水循环量1M3/H,工作环境温?0℃~35℃,冷却水温?8℃~25ℂ/p>
设备占用面积12M2(设备安装面?M×3M(/p>
进样室上方窗口(玻璃橡胶圈密封):¢20cm
沉积室抽气口在底部,样品架的两边抽气,有利于薄膜的均匀沉积
设备总体漏放率:关机12小时后,真空度≤10Pa
从大气到抽到?×10-4Pa,小?5min(新设备充干燥氮气),提高了工作效率
样品台可旋转,速度??5转/ 可控可调。(样品台尺寸¢200mm(/p>
基片尺寸?英寸(根据用户需要可变)
样品台加热器温度:室温~500±1℃。温度可控可谂/p>
基片**升降距离0?00mm可调
配备2支¢3英寸磁控靶,其中一支可镀铁磁材料,磁控靶可伸?/p>
磁控溅射靶电源:射频 500W?3.56MHz;直流溅射电源,500W
缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护
应用领域9/p>
光伏行业(氮化硅/非晶?微晶?等离子体织构与刻蚀(/p>
新型二维材料(石墨烯/二硫化钼等的表面改性及制备(/p>
半导体工艺(刻蚀工艺/氮化硅与二氧化硅工艺等)
纳米材料的生长与纳米形貌的刻蚀构速/p>
石墨烯氢等离子体可控改?/p>
氩等离子体可控改性:引入空位缺陷
氢等离子体可控改性:引入SP3缺陷
暂无数据
自动生物荧光成像系统所有观察图像都可以通过目镜或安装在侧面端口上的摄像头显示并保存在显示器上。自动样品台和自动物镜转台系统可实现对显微镜图像数据自动采集的高效管理。用户可以通过鼠标控制软件的用户界
巨纳集团二维材料解决方案Solutions of 2D Materials 巨纳集团SUNANO GROUP,是业内知名的企业,下属十余家控股公? 目前,已经形成了新能源业务、通信业务、现