PECVD管式炉，等离子体增强化学汽相沉积管式炈�/span>

PECVD 系统的设计是为了降低传统化学气相沉积的反应温度。在传统化学气相沉积前面安装射频感应装置，电离反应气体，产生等离子体。等离子体的高活性是由于等离子体的高活性加速了反应的进行。这个系统叫� PECVD、�/span>

该型号是博纳�?*产品，综合了大多� PECVD 炉系统的优点，在 PECVD 炉系统前增加了预热区。试验表明，沉积速度快，膜层质量好，孔洞少，不开裂。配备AISO 全自动智能控制系统，操作方便，功能强大、�/span>

PECVD 炉的应用范围很广: 金属膜、陶瓷膜、复合膜、各种膜的连续生长。易增加功能，可扩展等离子清洗蚀刻等功能、�/span>

PECVD管式炉特炸�/span>

• 高薄膜沉积速率: 采用射频辉光技术，大大提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达1000s.

• 高面积均匀�? 先进的多点射频送料技术、特殊气路分布、加热技术等，使薄膜均匀性指数达�?%.

• 高浓�? 使用先进的设计概念的半导体产业，一个沉积基板之间的偏差小于2%.

• 高过程稳定�? 高度稳定的设备确保了连续和稳定的过程、�/span>

PECVD管式炉标准配仵�/span>

• 插管4�?/span>

• 炉管1核�/span>

• 真空�?仵�/span>

• 真空密封法兰2奖�/span>

• 真空�?仵�/span>

• 气体输送和真空泴�/span>

• 射频等离子体设备

可选配仵�/span>

• 快卸法兰，三通法�?/span>

• 7英寸高清触摸屎�/span>

PECVD管式炉图牆�/span>

PECVD管式炉技术规栻�/span>

一、技术参�?/strong>
型号	BR-PECVD-500A
加热长度和恒温区长度	440mm, 200mm
炉管尺寸	Ф100x1650mm（炉管直径可根据实际需要定制）
**工作温度	1200oC (<1小时)
长期工作温度	�?100ℂ�/span>
电压及额定功玆�/span>	单相�?20V�?0Hz
控温方式	51段可编程控温，PID参数自整定， ‚操作界面�?0”工控电脑，内置PLC控制程序＋�/span> ƒ可将温控系统、滑轨炉滑动（时间和距离）设定为程序控制、�/span>
控温精度	± 1oC
温度均匀�?/span>	± 5oC
加热速率	�?0oC /分钟
热电偵�/span>	K� （热电偶保护管为纯度 99.7%的刚玉管（�/span>
加热元件	HRE电阻东�/span>
真空�?/span>	工作真空�?0-2Pa (冷态及保温) 极限真空�?0-3Pa (极限真空度）
炉膛材料	氧化铝、高温纤维制�?/span>