参考价栻/p>面议
型号
QBT-P品牌
韫茂科技产地
福建样本
暂无功率(kw):
-重量(kg):
-规格外形(长*?高)9/p>-
看了双腔室UHV磁控溅射镀膜系统的用户又看亅/p>
虚拟号将 180 秒后失效
使用微信扫码拨号
双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P
磁控溅射技术原琅/span>
在阴?/span>靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆纾/span>的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量,使之电离而本身变成低能电子。这些低能电?终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收,避免高能电子对极板的强烈轰击,消除了二?/span>溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤,体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在,电子的复杂运动增加了电离率,实现了高速溅射、/span>
磁控溅射技术特炸/span>
成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面?/span>镀膛/span>
技术参?/span>
QBT-P 技术参 Technical Specifications (超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备) | |
超高真空腔体 UHV Chamber | 2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr |
排气速率Pumping Spead | 从ATM?E-7Torr<20min (loadlock) |
基板加热 Wafer Heating | RT-900oC |
离子束清 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一?lt;3% |
磁控溅射Sputtering | DC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly |
基板传输 Wafer Transfer | 高度可靠和可重复的基板传输能劚/td> |
人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO |
工艺展示
厦门韫茂科技有限公司凭借在先进材料设备业务方面多年的经验,韫茂为新型芯片,半导体和锂电池领域的新材料开发和生产,提?**的纳米工艺设备和服务解决方案。根据您的特殊需求,我们为您定制打造创新纳米加工平台,保证高品质的设计,多功能,易于使用的界面,严格的安全控制,以及快速的交付和服务