探测器:
见参?/span>加速电压:
500 V 30 kV电子枪:
见参?/span>电子光学放大9/p>见参?/span>
光学放大9/p>见参?/span>
分辨率:
0.6 nm@15 keV?.0 nm@1 keV看了赛默飞(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB双束电镜的用户又看了
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新一代的赛默飞世尔科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 产品系列业界**的高性能成像和分析性能。它经过精心设计,可满足材料科学研究人员和工程师?广泛 FIB-SEM 使用需求,即使?*挑战性的样品、/strong>
Helios 5 DualBeam 重新定义了高分辨率成像的标准?*的材料对比度?快?简单?精确的高质量样品制备,用 S/TEM 成像和原子探针断层扫描(APT)以?*质量的亚表面 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久经考验的性能基础上,新一代的 Helios 5 DualBeam 进行了改进优化,所有这些都旨在确保系统处于手动或自动工作流程的**运行状态、/strong>
半导体行业技术参数:
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Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | ||
样品制备?nbsp;XHR 扫描电镜成像 | *终样品制?nbsp;(TEM薄片,APT) | STEM 亚纳米成像与样品制备 | ||||
SEM | 着陆电厊/td> | 20 eV~30 keV | 20 eV~30 keV | |||
分辨玆/p> |
0.6 nm@15 keV | 0.6 nm@2 keV | ||||
1.0 nm@1 keV | 0.7 nm@1 keV | |||||
1.0 nm@500 eV | ||||||
STEM | 分辨率@30 keV | 0.7 nm | 0.6 nm | 0.3 nm | ||
FIB制备过程 | **材料去除束流 | 65 nA | 100 nA | 65 nA | ||
*?*抛光电压 | 2 kV | 500 V | ||||
TEM样品制备 | 样品厚度 | 50 nm | 15 nm | 7 nm | ||
自动匕/td> | ?/td> | ?/td> | ?/td> | |||
样品处理 | 行程 | 110×110 ×65 mm |
110×110 ×65 mm |
150×150 ×10 mm |
100×100 ×20 mm |
100×100×20mm+5轴(S)TEM Compustage |
快速进样器 | 手动 | 自动 | 手动 | 自动 | 自动+自动插入/提取STEM 样品杅/td> |
材料科学行业技术参数:
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Helios 5 CX | Helios 5 UX | ||
离子光学 | 具有**的大束流性能的Tomahawk HT 离子镜筒 | 具有**的大束流和低电压性能的Phoenix 离子镜筒 | |
离子束电流范図/td> | 1 pA ?nbsp;100 nA | 1 pA ?nbsp;65 nA | |
加速电?/td> | 500 V ?nbsp;30 kV | 500 V ?nbsp;30 kV | |
**水平视场宽度 | 在束重合点处?.9 mm | 在束重合处点?.7 mm | |
离子源寿呼/td> | 1,000 小时 | 1,000 小时 | |
两级差分抽吸 | 两级差分抽吸 | ||
飞行时间校准 | 飞行时间校准 | ||
15孔光阐/td> | 15孔光阐/td> | ||
电子光学 | Elstar超高分辨率场发射镜筒 | Elstar超高分辨率场发射镜筒 | |
磁浸没物镛/td> | 磁浸没物镛/td> | ||
高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电?/td> | 高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电?/td> | ||
电子束分辨率 | **工作距离上/td> | 0.6 nm @ 30 kV STEM | 0.6 nm @ 30 kV STEM |
0.6 nm @ 15 kV | 0.7 nm @ 1 kV | ||
1.0 nm @ 1 kV | 1.0 nm @ 500 V (ICD) | ||
0.9 nm @ 1 kV 减速模? | |||
在束流重合点 | 0.6 nm @ 15 kV | 0.6 nm @ 15 kV | |
1.5 nm @ 1 kV 减速模? ?nbsp;DBS* | 1.2 nm @ 1 kV | ||
电子束参?/td> | 电子束流范围 | 0.8 pA ~ 176 nA | 0.8 pA ~ 100 nA |
加速电压范図/td> | 200 V ~ 30 kV | 350 V ~ 30 kV | |
着陆电厊/td> | 20 eV ~ 30 keV | 20 eV ~ 30 keV | |
**水平视场宽度 | 2.3 mm @ 4 mm WD | 2.3 mm @ 4 mm WD | |
探测?/td> | Elstar 镜筒?nbsp;SE/BSE 探测?nbsp;(TLD-SE, TLD-BSE) | ||
Elstar 镜筒?nbsp;SE/BSE 探测?nbsp;(ICD)* | |||
Elstar 镜筒?nbsp;BSE 探测?nbsp;(MD)* | |||
样品室内 Everhart-Thornley SE 探测?nbsp;(ETD) | |||
红外相机 | |||
高性能离子转换和电子探测器 (SE)* | |||
样品室内 Nav-Cam 导航相机* | |||
可伸缩式低电压、高衬度、分割式固态背散射探测?nbsp;(DBS)* | |||
可伸缩STEM 3+ 探测? | |||
电子束流测量 | |||
样品台和样品 | 样品?/td> | 高度灵活的五轴电动样品台 | 压电陶瓷驱动 XYR 轴的高精度五轴电动工作台 |
XY | 110 mm | 150 mm | |
Z | 65 mm | 10 mm | |
R | 360° (连续) | 360° (连续) | |
倾斜 | -15° ~ +90° | -10° ~ +60° | |
**样品高度 | 与优中心点间?nbsp;85 mm | 与优中心点间?nbsp;55 mm | |
**样品质量 | 样品台任意位?nbsp;500 g | 样品台任意位?nbsp;500 g | |
0° 倾斜?* 5 kg | |||
**样品尺寸 | 直径 110 mm可沿样品台旋转时 | 直径 150 mm可沿样品台旋转时 | |
优中心旋转和倾斜 | 优中心旋转和倾斜 |
更易于使用:
Helios 5 对所有经验水平用户而言都是*容易使用 DualBeam 系统。操作人员培训可以从几个月缩短到几天,其系统设计可帮助所有操作人员在各种高级应用程序上实现一致、可重复的结果
提高了生产率9/strong>
Helios 5 AutoTEM 5 软件的先进自动化功能,增强的可靠性和稳定性允许无人值守甚至夜间操作,显著提高样品制备通量
改善时间和结果:
Helios 5 DualBeam 引入全新精细图像调节功能 FLASH (闪调)技术。借助 FLASH 技术,您只需在用户界面中进行简单的鼠标操作,系统即可“实时”进行消像散、透镜居中和图像聚焦。自动调整可以显著提高通量、数据质量并简化高质量图像的采集。平均而言,FLASH 技术可以使获得优化图像所需的时?多缩 10 倍、/span>
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