贝意克前端预热双温区滑轨PECVD-参数-价格-中国粉体罐�/title>

前端预热双温区滑�?/span>PECVDBTF-1200C-II-SL-400C是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高10⁹-10¹²cm³电子气体温度比普通气体分子温度高凹�/span>10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方�?低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单、�/span>

前端预热双温区滑�?/span>PECVDBTF-1200C-II-SL-400C配有前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为单温区加热炉，温度控制精确，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验、�/span>

前端预热双温区滑�?/span>PECVDBTF-1200C-II-SL-400C９�/span>

1.与传统CVD系统比较，生长温度更低、�/span>

2.使用滑轨炉实现快速升温和降温、�/span>

3.设备特有皃�/span>zhuan利技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长

1.加热系统

zui高温�?/span>	1200ℂ�/span>
使用温度	�?100ℂ�/span>
炉膛有效尺寸	Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制）
炉膛材料	氧化铝、高温纤维制�?/span>
热电偶类垊�/span>	K型热电偶
控温精度	±1ℂ�/span>
控温方式	30段可编程控温，PID参数自整宙�/span>
加热长度	200+200mm
恒温长度	100+100mm
加热原件	电阻东�/span>
供电电源	单相�?20V�?0Hz

2、预热系统系绞�/span>

zui高温�?/span>	400ℂ�/span>
炉膛有效尺寸	Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制）
炉膛材料	氧化铝、高温纤维制�?/span>
热电偶类垊�/span>	K型热电偶
控温精度	±1ℂ�/span>
控温方式	30段可编程控温，PID参数自整宙�/span>
加热长度	100mm
加热原件	电阻东�/span>
额定功率	800W

3、PE系统

功率输出范围	0W~500W
zui大反射功玆�/span>	100W
射频输出接口	50 Ω, N-type, female
功率稳定�?/span>	�?W
谐波分量	�?50dbc
供电电压	单相交流�?87V-253V（�/span>频率50/60HZ
整机效率	>=70%
功率因素	>=90%
冷却方式	强制风冷

4、三路质子流量控制系绞�/span>

连接头类垊�/span>	双卡套不锈钢接头
标准量程（N₂)	50sccm�?00sccm�?00sccm （可根据用户要求定制（�/span>
准确�?/span>	±1.5%F.S
线�?/span>	±1%F.S
重复精度	±0.2%F.S
响应时间	气特性：1�? Sec，电特性：10 Sec
工作压差范围	0.1�?.5 MPa
zui大压劚�/span>	3MPa
接口	Φ6,1/4''
显示	4位数字显礹�/span>
工作环境温度	5~45高纯气体
压力真空�?/span>	�?.1�?.15 MPa, 0.01 MPa/栻�/span>
截止阀	Φ6
内外双抛不锈钢管	Φ6

5、低真空机组

空气相对湿度	�?5%
工作环境	5℃～40ℂ�/span>
工作电电厊�/span>	280V
抽气速率	32m³/h
极限真空	5X10-1Pa（空载冷态）
工作压力范围	1.01325X105�?.33X10-2Pa
耐压倻�/span>	0.03MPa
进气口口徃�/span>	KF40
排气口口徃�/span>	KF40
连接方式	采用波纹管，手动挡板阀与波纹管相连