华创晶瑞4�?英寸低阻高掺p型碳化硅衬底_报价-杭州华创晶瑞科技有限公司

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产品简今�/div>

产品介绍

利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需汁�/p>

主要指标

晶型�?H/6H-P垊�/p>

尺寸�?9.5~100 mm 145.5-150.0mm

厚度�?50±25 μm

微管密度：＜0.1 cm-2

电阻率：0.06~0.11 Ω∙cm

表面粗糙度：Ra<0.2nm

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