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杭州华创晶瑞科技有限公司
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产品分类
碳化硅粉
4?英寸低阻高掺p型碳化硅衬底
2英寸导电型碳化硅衬底
8英寸导电型碳化硅衬底
6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底
4英寸导电型碳化硅衬底
2~8英寸导电型碳化硅衬底
碳化硅MOS SBD晶圆
二氧化硅粈/a>
其它无机材料
金刚石微粈/a>
产品简今/div>
液相法衬底产品介绌/strong>
3C N型SiC具有更高的电子迁移率?C-SiC?100 cm2/V∙s?H-SiC?00 cm2/V∙s），同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性，能大幅度提高器件产品良率、/span>
主要指标
晶型?C
尺寸?0.8±0.38 mm 2英寸?英寸?英寸
非标尺寸?0*10mm,20*20mm,其它按需定制?nbsp;
厚度?50±25μm
微管密度：＜0.1 cm-2
电阻率≤0.0006 Ω∙cm
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