石墨?壳聚糖修饰玻碳电极测定水样中痕量铜离孏/div>
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2012-03-05
编号:FTJS02409
篇名 石墨?壳聚糖修饰玻碳电极测定水样中痕量铜离
作者: 方艳红; 连慧婷; 陈国华;
关键词:石墨烯; 壳聚糖; 阳极溶出伏安法; Cu2+
机构:华侨大学材料科学与工程学院:br>摘要 采用控制电位电解?在玻碳电?GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚?CS)修饰膜的电沉?将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE?.1 mol.L-1的HAc-NaAc电解?pH=4.2)?0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测?结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强于裸GCE及CS/GCE.在优化实验条件下,Cu2+的浓度在1.0?0.0μmol.L-1范围内与阳极溶出峰电流呈线性关?相关系数?.999 6,检出限?2.66 nmol.L-1,所制得的修饰电极具有较高的灵敏度和选择?