编号：FTJS02402
篇名� Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生�
作者： 李利民； 唐军� 康朝阳； 潘国强； 闫文盛； 韦世强； 徐彭寿；
关键词：固源分子束外延； Si(111)衬底� 石墨烯薄膜；
机构：中国科学技术大学国家同步辐射实验室：�br>摘要� 利用固源分子束外�?SSMBE)技�?在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄�?通过反射式高能电子衍�?RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光�?RAMAN)和X射线吸收精细结构�?NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400�?00�?00�?00�?生长的薄膜进行结构表�?RAMAN和NEXAFS结果表明:�?00℃下制备的薄膜具有石墨烯的特�?�?00�?00�?00℃生长的样品为非晶或多晶碳薄�?RHEED和FTIR结果表明,沉积温度�?00℃以下时C原子和衬底Si原子没有成键,而衬底温度提升到700℃以�?沉积的C原子会先和衬底Si原子反应形成SiC缓冲�?且在800℃沉积时缓冲层质量较�?因此在Si衬底上制备石墨烯薄膜需要较高的衬底温度和高质量的SiC缓冲�?