编号：CPJS00855
篇名� 不同极�?H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研�
作者： 康朝防� 唐军; 李利氐� 潘海斋� 闫文盚� 徐彭対� 韦世弹� 陈秀芲� 徐现则�
关键词：石墨�? 6H-SiC; 同步辐射; 电子结构;
机构：中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验宣�
摘要� 在超高真空设备中,采用高温退火的方法�?H-SiC两个极性面(0001)�?0001-)�?即Si面和C�?外延石墨�?EG).利用低能电子衍射(LEED)和同步辐射光电子能谱(SRPES)对样品的生长过程进行了原位研�?而后利用激光拉曼光�?Raman)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等实验技术对制备的样品进行了表征.结果表明我们在两种极性面均制备出了质量较好的石墨烯样�?而有关两种石墨烯的对比性研究发�?Si面EG呈同一取向而C面EG呈各向异�?Si面EG与衬底存在类似于金刚石C—sp3键的界面相互作用,受到衬底的影响较�?而C面EG与衬底的相互作用较弱,受到衬底的影响较�?