编号：NMJS07176
篇名� 沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响
作者： 于成� 王伟 段赛� 于龙� 刘孟�
关键词： 石墨� 沉积温度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 牺牲层Ni 图形�
机构：河北工业大学电子信息工程学� 天津市电子材料与器件重点实验宣�br>摘要� 研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5�?0 nm的图形化Ni,采用低温(500,600�?00�?下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得了大面积的图形化石墨烯薄膜。去除Ni�?将图形化的石墨烯保留在绝缘衬底上,采用原子力显微镜(AFM)和喇曼光谱对3种不同沉积温度下合成的石墨烯薄膜的表面形貌和质量进行了表�?研究了沉积温度对Ni辅助合成石墨烯表面形貌和导电性能的影响。结果表�?借助图形化牺牲层Ni能够在绝缘衬底Ta2O5上直接合成图形化的石墨烯,沉积温度对石墨烯的表面形貌和质量有很大影�?沉积温度�?00℃时,制备的石墨烯具有较高的质量和良好的导电性能�