编号：NMJS07113
篇名� 光刻法图案化石墨烯研�
作者： 吕志� 张锋 刘文� 董立� 宋晓� 崔钊 王利� 孟德�
关键词： 光刻 石墨� 方块电阻 关键尺寸
机构：京东方科技集团股份有限公司
摘要� 介绍了光刻法石墨烯的制备方法,分析了光刻工艺过后石墨烯方阻升高的不良机�?并给出了相应的优化方案。首�?根据半导体工艺研发制程完成石墨烯图案化工艺方�?并对工艺方案进行有效优化。接着,分析了石墨烯光刻法图案化后方阻升高的机理。最�?通过改善工艺方案,增加金属湿法刻蚀的步�?解决石墨烯方阻升高的问题。实验结果表昍�通过光刻法制得的石墨烯具有更高的图案精细�?关键尺寸可达�?μm。双层石墨烯膜的方阻在光刻法图案化后,通过工艺改善可以保持原始膜最初阻值约330Ω/,甚至可以降低�?70Ω/左右。光刻法图案化石墨烯技�?既能保证石墨烯图案尺寸精�?又可以保持甚至降低石墨烯方阻�?适合于量产开发�