编号：CPJS06473
篇名� 全碳材料点状场发射阴极制备及其石墨烯填充场发射增强性能研究
作者： 娄硕 陈欣� 张堃 宋也� 孙卓
关键词： 全碳材料器件 场发射阴� 点状发射 碳纳米管 氧化石墨� 石墨烯填�
机构：华东师范大学物理与材料科学学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心和物理实验教学中心
摘要� 目的设计一种利用常见的铅笔芯和碳纳米管复合的全碳材料点状场发射器件,通过石墨烯填�?增强场发射性能。方法导电玻璃作为阳�?铅笔芯与碳纳米管复合构成发射�?锡底座固定铅笔芯,并利用导电胶与导电玻璃粘接组成阴极。通过比较纯碳纳米管与不同浓度石墨烯的场发射性能,找到效果最好的填充石墨烯浓度。结合扫描电镜表征结�?对石墨烯填充增强场发射性能的原因进行解释。结果实现了全碳材料点状场发射器件的制备及场发射性能的优�?发现7%的石墨烯浆料制备的器件场发射性能最�?得到的点状场发射阴极的阈值电场为1.05 V/μm,场发射增强因子高�?3509,最大电�?.75 mA。结论点状场发射器件拥有更好的聚焦性、更低的开启场强以及更大的场发射电流密�?在制作X射线源和微波器件方面具有较高的应用价值�