编号：CPJS05874
篇名� 掺杂石墨烯量子点对P3HT：PCBM太阳能电池性能的影�
作者： 邹凤� 范思大 谢强 孙洋 孙丽� 李占� 王丽�
关键词： 氧化石墨� 石墨烯量子点 掺杂 P3HT:PCBM 聚合物太阳能电池
机构：长春工业大学化学工程学� 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 长春工业大学基础科学学院
摘要� 为研究掺杂石墨烯量子点（GQDs）对聚合物电池的影响,采用溶剂热法制备了GQDs,掺杂到聚3-己基噻吩和富勒烯衍生物（P3HT∶PCBM）中作光敏层制备了聚合物太阳能电池。掺杂不同浓度的GQDs�?聚合物电池的开路电压和填充因子都比未掺杂器件高。GQDs掺杂质量分数�?.15%�?形成的掺杂薄膜平整、均匀,填充因子提高�?7.42%。GQDs经还原后,随还原时间的延长,填充因子FF增大。到45 min�?电池的FF基本稳定,�?1.57%提高�?0.80%,提高�?9.24%。退火后,获得了最佳的掺杂GQDs的聚合物太阳能电�?开路电压Voc�?.54 V,填充因子FF�?5.56%,光电转换效率�?.75%�