编号：NMJS06352
篇名� 线缺陷对扶手型石墨烯纳米带能隙的调控
作者： 刘丽� ;龙文
关键词： 扶手型石墨烯纳米� 线缺� 能隙
机构：首都师范大学物理系,北京100048
摘要� 采用单轨道最近邻紧束缚模�?我们研究了线缺陷的位置、类型和强度对扶手型石墨烯纳米带（AGNRs）能隙的调控.计算结果表明,对于带宽N�?n（n为整数）的半导体AGNRs,加一条位于Ni�?m-1的两体线缺陷后（N_i为缺陷位�?m为整数）,能隙关闭,纳米带呈金属�?而N=3n�?的半导体AGNRs关闭能隙的两体线缺陷位置为Ni�?m-2.对于带宽N=3n�?的金属性AGNRs,可在Ni�?m位置处加一条子格线缺陷打开能隙,使纳米带呈半导体�?同时在费米能附近出现一个波速为零的局域�?增加正常原子与缺陷原子之间的交叠积分,可使局域态消�?同时保持半导体�?利用格林函数方法,我们研究了一个两端口有限尺寸AGNRs的电子输运模�?计算了体系在有线缺陷时的透射系数和态密�?结果与能带谱计算结果相一�?