利用石墨烯掺杂在NPB中的OLED性能研究
2331
2015-10-23
编号:NMJS05442
篇名 利用石墨烯掺杂在NPB中的OLED性能研究
作者: 高永慧; 张刚 汪津 姜文龙; 高欣 薄报学;
关键词:石墨烯; 有机电致发光器件(OLED) 效率 亮度
机构:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林师范大学信息技术学?功能材料物理与化学教育部重点实验室;
摘要 采用NPB掺杂石墨烯作为空穴传输层,制备有机电致发光器件(OLED),器件结构为ITO/NPB:Graphene(20wt.%)(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。将其与标准器件ITO/NPB(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)作性能比较,研究石墨烯对OLED性能的影响。结果表?在NPB中掺杂石墨烯薄层的器?在同等条件下性能最?当电流密度为90mA/cm2时器件电流效率达到最大?.40cd/A,与标准器件最高效率相比增?.49倌亮度?5V时达到最大?0 070cd/m2,比标准器件最大亮度增?.16倍