编号：NMJS05341
篇名� Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究
作者： 戴宪起； 王宁� 赵宝� 赵旭�
关键词：石墨烯； 拓扑绝缘体； 吸附� 掺杂� Bi� Se� Te�
机构：河南师范大学物理与电子工程学院� 郑州师范学院物理与电子科学系� 复旦大学物理学系：�br>摘要� 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺�?单空�?B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁�?在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级处态密度分�?影响体系的导电性质;在B(N)掺杂吸附体系�?B比N对吸附原子的影响�?除Se在B掺杂石墨烯上吸附�?Bi,Se,Te在其它n/p型掺杂吸附体系中均显示磁�?缺陷增强了Bi,Se,Te与石墨烯之间的相互作�?对吸附体系的电子结构和电荷分布有较大的影�?