编号：NMJS04280
篇名� 周期性纳米洞内边缘氧饱和石墨烯纳米带的电子特�
作者： 曾永昌； 田文� 张振华；
关键词：石墨烯纳米带� 纳米洞； 内边缘氧饱和� 电子特性；
机构：长沙理工大学物理与电子科学学院：�br>摘要� 利用基于密度泛函理论的第一性原理方�?研究了内边缘氧饱和的周期性凿洞石墨烯纳米�?G NR)的电子特�?研究结果表明:对于凿洞锯齿形石墨烯纳米�?ZGNRs),在非磁性态时不仅始终为金�?且金属性明显增弹�反铁磁�?AFM)时为半导体的ZGNR,凿洞后可能成为金屝�但铁磁�?FM)为金属的ZGNR,凿洞后一般变为半导体或半金属.而对于凿洞的扶手椅形石墨�?AGNRs),其带隙会明显增加.深入分析发现:这是由于氧原子对石墨烯纳米带边的电子特性有重要的影�?以及颈次级纳米带(NSNR)及边缘次级纳米带(ESNR)的不同宽度及边缘形状(锯齿或扶手椅�?能呈现出不同的量子限域效�?这些研究对于发展纳米电子器件有重要的意义.