研究了光子晶体表面石墨烯在应力赝磁场作用下的太赫?THz)吸收.由于应力赝磁场的存在使得石墨烯中电子出现朗道能级并对THz波呈现出一个较强的吸收.而光子晶体和石墨烯形成了表面微腔结构使得石墨烯对THz波的吸收比无光子晶体旵/p>2015?9?9?nbsp;更新
以甲烷作为碳?采用化学气相沉积方法低压下在两种不同厚度的铜箔上生长出石墨烯。利用光学显微镜、拉曼光谱、扫描电子显微镜对石墨烯的结构、形貌和层数进行了表征。结果表?可以通过调控反应的生长参数来控制石墨烯的层数,实现了单层石
2015?9?9?nbsp;更新针对集成电路的特征尺寸小?0nm以下所面临的短沟道效应、隧道效应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代?着重从数字晶体管、射频晶体管和柔性透明晶体?个方面概括和分析了新型石墨烯晶体管的发展现状。分析认丹矲/p>2015?9?9?nbsp;更新
掺杂石墨烯因对石墨烯的性质有良好的修饰作用而备受关?掺杂石墨烯的实验合成一直都是研究热?但有一个普遍的难题,就是掺杂困难,掺杂浓度不高.针对这一难题,我们提出了通过对石墨烯施加单轴应变来降低掺杂过程反应形成能,从而实现石
2015?9?7?nbsp;更新石墨烯作为一种二维sp2杂化碳的同素异形?具有优良的电学、光学、热学及力学等性质.产业化应用石墨烯要求其具有大的尺寸且性质均一.化学气相沉积?CVD)的出现为制备大尺寸、高质量的石墨烯提供了可?本文结合近几年CVD法制
2015?9?7?nbsp;更新首先通过溶剂热法,在石墨烯表面负载掺杂镍的纳米二氧化钛?制备石墨?Ni/TiO2复合材料;然后以掺杂的镍为催化?采用化学气相沉积?原位生长碳纳米管(CNTs),得到石墨?Ni/TiO2/CNTs复合材料。通过XRD
2015?9?7?nbsp;更新当前环境和能源问题越来越突出,以TiO2为代表的半导体光催化剂能够有效利用太阳能,为解决这方面问题提供了可?其中铋系氧化物具有较高的可见光催化活?近年来受到广泛关注。石墨烯?004年发现的一种新型二维碳纳米材料,利用矲/p>2015?9?7?nbsp;更新