MDpicts微波探测光诱导电流瞬态谱�?/span>

灵敏度：对半导体材料电学缺陷�?*灵敏�?/p>

温度范围：液�?77k)�?00k。可逈�液氦(4k)或更高温�?/p>

衰减常数范围�?0纳秒到几毫秒

沾污检测：电学陷阱基本性能确定：激活能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命参数筈�/p>

重复性：> 99.5%，测量时间：< 60分钟。液氮消耗：2�?欠�/p>

灵活性：�?65 nm �?480nm，根据不同材料选择不同波长激发光溏�/p>

可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支�?/span>

�?. 与温度有关的载流子发射瞬�?/span>

�?.不同缺陷的评� �?.Arrhenius曲线国�/span>

从Arrhenius斜率(�?)可以确定活化能、�/span>利用这种新型MDPpicts设备，可�?0~500k范围内测量温度依赖性的瞬态光电导、�/span>Si� GaAs� InP� SiC和其他很多半导体材料已成功采用了这种方法进行研究、�/span>