设备特点

●工件台：圆周旋转或者扫描运动，刻蚀角度可调，刻蚀均匀性高，兼容刻蚀和抛光功�?nbsp;

●工件台采用水冷，确保晶片低温刻蚀

●可配置等离子体中和枪，确保晶片表面无电荷积�?nbsp;

●可配置法拉第测束装置，确保工艺参数的可重复

●真空系统分子泵/低温泵可逈�/p>

技术指栆�/span>

●工件台

　　　　适用晶片尺寸�?"�?"，兼容不规则方片

　　　　圆周旋转/往复扫描运�?/p>

●离子源：考夫曼离子源

　　　　　离子束能量：0eV�?000eV连续可调

　　　　　束流 �?*200mA （圆形）�?*300mA （条形）

●刻蚀均匀� ：片内�?%，片间�?%

应用范围

　　用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、NiCr筈�/p>

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