袁昊
副教掇/span>
| 专家姓名: | 袁昊 | 职务: | ||
| 职称: | 副教掇/td> | 专业类别: | ||
| 研究方向９/td> | ||||
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本人长期从事SiC功率器件设计、制备、测试及可靠性分析相关工佛/div>
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| 自我介绍９/td> | ||||
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本人长期从事SiC功率器件设计、制备、测试及可靠性分析相关工作。目前已主持或参与国家自然科学基金、国家重点研发计划、陕西省重点研发计划、中兴产学研项目等多项纵横向项目，并负责开发了1.2kV?.3kV?kV?.7kV SiC功率肖特基二极管?50V-1700V SiC MOSFET器件，拥有丰富的器件设计及测试经验。以第一作者或通讯作者在IEEE electron device letters、IEEE transactions on electron devices、Carbon、Solid-state electronics、Journal of crystal growth、Chinese physics B等期刊发表论?0余篇，申请专?0余项。目前担任IEEE transactions on electron devices、Thin solid films等期刊审稿人、/div>
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| 所在单佌 | 西安电子科技大学 | |||
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