主要从事宽禁带半导体材料与器件研究，是国际上富In氮化物半导体研究的开拓者；在InN薄膜生长、电学特性、和p型掺杂等方面创造并长期保持世界纪录，其工作直接导致了InN 0.7电子伏特窄禁带特性的重大发现，大大拓展了Ⅲ族氮化物半导体的研究与应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源，多次获《Nature》杂志专文报道；联合提出InGaN全光谱多异质结太阳能电池的概念和结构、�/div>

博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者、长江学者特聘教授、万人计划创新领军人才、国家重点研发计划项目首席科学家。分别于1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位；�?003年在美国康奈尔大学（Cornell University）电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授；在康奈尔大学开�?年博士后研究工作后，�?004年受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；�?006�?月归国任教于南京大学物理系及电子科学与工程学院，现任南京大学特聘教授、�/div>