1.第三代半导体碳化?SiC)器件及芯片的结构设计、可靠性及应用技术的研究:br /> (以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明 新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,有望突破传统半导体技术的瓶颈,对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。)
2.硅基光电集成电路的研究及产品研发
(现阶段研发的重点方向包括:高速低噪声光电探测器IC、高速光耦、先进的光电传感器工艺开发、激光雷达单片关键工艺及核心芯片(br />
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