一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料（包括As，P，Sb和氮化物）的生长及器件应用工作，制备出多种量子异质结构材料如量子阱、超晶格�?DEG，多种薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，应用到多种半导体器件如：半导体激光器、发光二极管、HBT、HEMT等、�/div>

1992年获得山东大学凝聚态物理博士学位，师从于蒋民华院士�?000年留美回�?至今，获教育部第一批长江计划的特聘教授�?000年度国家杰出青年科学基金获得者，973首席科学家，主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作�

�?989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料（包括As，P，Sb和氮化物）的生长及器件应用工作，制备出多种量子异质结构材料如量子阱、超晶格�?DEG，多种薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，应用到多种半导体器件如：半导体激光器、发光二极管、HBT、HEMT等。积极响应国家号召，践行产学研结合，服务地方服务山东，把科技创新的成果产业化；自2000年开始SiC单晶生长和加工工作，先后突破�?英寸6H-SiC�?英寸以上�?H-SiC等的单晶生长技术，解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题，制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。先后承担了多项863�?73、国家重大专项等课题�

获得多项表彰和奖励，�?995年洪堡学者，1998年获得由IEE颁发的Electronics Letters Premium�?999年在美国获得由IEEE颁发的Best Paper Award�?000年获得“国家杰出青年基金”，2003年“山东省科技进步一等奖”、“山东省留学回国创业奖”，2005年获“山东省十大杰出青年”，2007年获“政府特殊津贴奖”，2013年获得“山东省技术发明一等奖”等。任国务院学位委员会委员、国�?63计划半导体照明工程总体专家组专家等等。至今已经发表超�?50篇相关论文及会议报告、�/div>