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任娜 副研究员
研究方向:一直致力于碳化硅(SiC)电力电子器件的相关研究,其中包括SiC二极管和MOSFET器件的物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向,并取得了一系列研究成果、/p>
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研究方向:一直致力于碳化硅(SiC)电力电子器件的相关研究,其中包括SiC二极管和MOSFET器件的物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向,并取得了一系列研究成果、/p>