1.设备用逓�/span>

本设备主要供大专院校、科研单位等针对金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛的条件下进行加压加热烧结处理，以便获得高致密度的产品，例如生产高精度氮化硅陶瓷轴承等、�/span>

2.方案国�/span>

3.主要技术参�?/span>

3.1 电源９�/span>丈�/span>�?80V 50Hz

3.2设计温度�?200ℂ�/span>

3.3额定温度９�/span>室温-2100ℂ�/span>

3.4控温区数：一匹�/span>

3.5控温方式９�/span>1200ℂ�/span>低温时候热电偶测温�?200ℂ�/span>以上高温红外测温

3.8控温精度９�/span>≣�/span>±1ℂ�/span>、�/span>

3.9冷态极限真空度９�/span>≣�/span>6.7*10-³Pa（空炉、冷态、烘烤除气后（�/span>

3.10充气气氛：惰性气佒�/span>

3.10充气压力（微正压）：�?.03MPa

3.11***压力９�/span>10T（数显、自动调压、自动保压、伺服电动控刵�/span>（�/span>

3.12工作区域压头尺寸直径：У�/span>150mm

3.13 样品尺寸９�/span>Ф50-80mm

3.13压力波动：≤±0.01KN，位移精度≤0.01mm

3.14压力行程�?�?00mm（数显）

3.15压力控制：伺服电�?/span>缷�/span>

3.16 控制方式：触摸屏+plc�?nbsp;