German First-Nano System 德国韦氏纳米
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紫外掩膜曝光朹/div>
紫外掩膜曝光机的图片
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暂无
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产地9/dt>
美国
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OAI超过35年的历史

按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誈/p>

无论复杂还是简单,OAI都有*聪明的解决方案、/p>

OAI 200垊/p>

光刻 咋/p>

紫外曝光系统

OAI系统可以处理各种常规和不规则形状的宽范围的基材、/p>

高效光源在各种光谱上提供均匀的紫外线照射?

OAI 200型光刻机和紫外线曝光系统是一种经济高效的高性能工具,采用行业验证的模块化组件进行设计,使OAI成为MEMS,纳米技术和半导体设备行业的**者?00型是台式机型,需?小的洁净室空间。它为研发,试验或小批量生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空卡盘校平系统,基板被快速和平缓地平整以用于平行光掩模对准和在接触暴露期间在晶片上的均匀接触。该系统具有微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘,其允许使用各种衬底和掩模,而不需要对机器重新设定。对准模块包含X,Y?#952;轴(微米)?00型对准器可以广泛地安装进对准光学仪器,包括背面IR IR照明真空吸盘可以被配置用于整个或或部分晶片的对准 OAI 200型可配置OAI纳米压印模块,使其成?低成本的NIL工具 OAI还提供了一个模块,设计用于使用液体光引物进行快速成型或生产微流体器件 Model 200具有可靠的OAI光源,在近紫外或深紫外线下使?00?000瓦功率的灯提供准直的紫外光。双传感器,光学反馈回路与恒定强度控制器相关联,以提供在所需强度?#177;2%内的曝光强度的控制。可以简单快速地改变UV波长、/p>

型号200是一个高度灵活的 经济的解决方 案,适合任何 入门级掩模对准和紫外线照射应用、/p>

应用

MEMS

NIL

微流佒/p>

纳米技?/p>

II-VI和III-V器件制速/p>

多级抗蚀剂处琅/p>

LCD和FED显示?/p>

MCM’S

薄膜器件

太阳能电江/p>

SAW器件

选项

提供单或双相机和屏幕

(双相机/双屏版本如照片所示)

可以安装NIL的Nano Imprint模块

可安装微流体模块

OAI 200型台式光刻机和紫外线曝光系统

OAI 200型掩模对准器和UV曝光系统

特征

规格

体积導/p>

基板平台

X Y Travel

Z Travel

Micrometer

Graduations

Rotation

10mm

真空吸盘

1?00 microns

.001"; .0001"

or .01mm; .001mm

3.5?

精密对准模块

可互换的面罩架和基板卡盘

掩膜

大小

Up to 14" x 14"

好处

光源

光束尺寸

灯功玆/p>

Up to 12" square

200 350 500 1?00 and

2?00 Watt NUV

I 需?小的洁净室空闳/p>

500 1?00 and 2?00 Watt DUV

I 对易碎基材材料造成损坏降至*位/p>

快门定时?/p>

设施

定时?/p>

0.1 to 99.0 sec. at 0.1

second increments

or 1 to 999 sec. at 1

second increments

I 精确对准?微米

I 可轻松容纳各种基材和面罩

电压

110?20 / 400vac

(或根据其他国家

电源要求(/p>

I IR透明晶片的背面掩模对准,精度高达3-5微米

真空

20 - 28 Hg.

I 高度准直,均匀的紫外线

空气和氮氓/p>

CDA at 60 PSI and

N2at 40 PSI

排气

.35“至.5”水

I 快速更改UV光波镾/p>

I 曝光控制强度?#177;2$/p>

尺寸

高度

宽度

深度

运输重量

37 (200mm) 45 (300mm)

31 (200mm) 60 (300mm)

25 (200mm) 70 (300mm)

250 Lbs. (200mm) 400lbs (300mm)

I 可以配置为NIL的Nano Imprint工具

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