霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具、�/span>

ECOPIA公司皃�/span>HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低�?/span>(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同旵�/span>HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的**，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004平�/span>7月通过CE认证、�/span>

产品特点９�/span>

1� 可靠的精度及重现�?/span>恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降�?低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性、�/span>2� 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm�?/span>6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小、�/span>3�?span>I-V曲线叉�/span>I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A�?/span>B�?/span>C�?/span>D)间电�?/span>-电压及电�?/span>-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性、�/span>4� 多样的实验结枛�/span>实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓�?/span>(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系�?/span>(Hall Coefficient)、磁致电阺�/span>(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等、�/span>

产品组成９�/span>

主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体�?包括样品�? / 软件等、�/span>

[HMS-3000软件界面一]

[HMS-3000软件界面�?I-V和I-R曲线测量)]

产品规格９�/span>

1� 主要仪器参数输入电流�?nA ~ 20mA：�/span>

电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 ��.cm：�/span>

载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3：�/span>

迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec：�/span>

磁场强度�?.37T� 0.55T� 1T� 0.25~1T变场磁体：�/span>

样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等：�/span>

样品尺寸�?mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm�?inch大样品板)：�/span>

测量温度：常温，77K液氮浴；

2� 软件操作环境XP / Win7 / Win8 / Win10环境上�/span>3� 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度：�/span>迁移玆�

霍尔系数：�/span>电阻率，方块电阻：�/span>磁致电阻：�/span>电阻的纵横比率；4� 仪器尺寸和重野�/span>主机尺寸９�/span>360��300��105 mm (W��H��D)磁体Kit尺寸９�/span>200��120��110 mm (W��H��D)：�/span>净重：7.7千克：�/span>5� 测量材料Si� SiGe� SiC� ZnO� GaAs� InGaAs� InP� GaN� ITO等所有半导体薄膜(P型和N垊�/span>)：�/span>

参考用户：

HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100�?/span>、�/span>

清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所...