1.晶片尺寸�?”～6”；
　　2.**温度�?700℃；
　　3.控温精度：�?℃；
　　4.极限真空：优�?Pa：�/span>
　　5.压力稳定性：100~1000mbar：�/span>
　　6.反应室漏气率�?E-10Pa·m3/S
　　7.工艺气体：SiH4、C3H8、N2、TMAl ：�/span>
　　8.载气：Ar、H2 、�/span>

1.内置式电磁感应加热，升降温速度�?/span>
　　2.基片气浮行星旋转运动，温度、外延膜均匀性好
　　3.三层水平层流送气，气流均匀性好
　　4.喷淋头水冷，预反应小
　　5.手套箱装取片 ，反应室内洁净度高