CMP抛光材料是晶圆表面平坦化的关键耗材，全球市场持续扩�?国产替代进程加速，上游材料厂商直接受益、�/p>

　　1、晶圆关键耗材，占成本比重�?0%

　　化学机械抛光（CMP）是通过化学试剂的化学腐蚀和纳米磨粒的机械研磨技术结合，实现晶圆表面的高度平坦化。随着芯片制程迭代升级，CMP抛光次数成倍数增长。根据杜邦数据，目前7nm以下逻辑芯片中CMP抛光步骤约三十步，先进芯片可达四十二步。抛光液和抛光垫是CMP抛光工艺的核心耗材，分别占抛光材料成本比重�?9%�?3%、�/p>

　　2、市场持续扩容，�?年复合增速达10%

　　研报指出，中国具备承接第三次半导体产业转移的三大条件，同时叠加晶圆厂大规模资本开支带来的旺盛需求以及芯片技术升级，CMP材料市场持续扩容。根据SEMI数据�?014-2020年全球CMP抛光材料市场规模15.7�?24.8亿美元，2020年国内CMP抛光材料市场规模约为32亿元，近五年复合增速维持在10%左右、�/p>

　　3、国产化加速，头部公司直接受益

　　长期以来抛光液市场被美国和日本企业所垄断，卡博特、日本日立以及日本富士美（CR3）合计占抛光液市场超�?0%市场份额。随着近几年以中芯国际、长江存储、合肥长鑫等为代表的国内晶圆企业持续扩建产能，上游核心材料的国产化配套势迫在眉睫。我们认为目前上游核心材料国产化率普遍偏低，受到近年来接二连三“断供”事件影响，芯片产业链供应安全意识上升至全所未有的高度，上游材料厂商迎来国产替代良机、�/p>