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第三代半导体材料研究及测试分析网络研讨会
演讲嘉宾9/td> 周圣冚/span>邵伟卍/span>邓二干/span>

269人播


以SiC和GaN等为代表的第三代半导体材料有高频、高效、高功率密度等优势,逐步受到市场的关注,作为半导体领域的新秀,第三代半导体被寄予厚望、/p>


SiC和GaN前景诱人,市场确定性强,但仍然在发展的初期阶段。目前整个工艺的发展和市场应用正在快速发展中,技术和成本是行业当下面临的挑战。一方面,第三代半导体器件SiC 或GaN的技术大大扩展了器件参数分布的区间,覆盖了以往没有出现过的高压高速区域,对器件的测试工具提出非常严苛的挑战;另一方面,第三代半导体材料外延等方面,如何降低衬底缺陷,提高良率,做到大尺寸、低成本等问题也需要尽快解决、/p>


基于此,粉体公开课于2022??5日举办‛strong>第三代半导体材料研究及测试分析网络研讨会”,为第三代半导体从业者、检测人员和专家学者提供一个交流的空间、/p>


讲师介绍
周圣冚/div>

教授

周圣军,武汉大学教授、博士生导师,国家高层次人才项目(青年)入选者?011年在上海交通大学获得博士学位。长期从事GaN基半导体光电子器件设计与制造技术研究,主持国家和省部级课题10余项,在Nano Energy、Nanoscale、Applied Physics Letters、Optics Express、Optics Letters等期刊发表第一或通讯作者SCI论文87篇,主编学术专著2部(科学出版社和Springer出版社),获授权国家发明专利26项,研究成果被国际著名半导体行业媒体《Semiconductor Today》和《Compound Semiconductor》专栏报?7次。获中国产学研合作创新奖和IAAM Scientist Medal
邵伟卍/div>

博士

邵伟华,工学博士。南京工程学院工业中心、创新创业学院讲师。主要从事新型电力电子器件封装集成及应用的研究工作。主持江苏省高等学校自然科学基金项目一项,江苏省配电网智能技术与装备协同创新中心开放基金项目一项。先后参与国家重点研发计划“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”、国家自然科学基金“车用多芯片并联SiC模块电热应力分布规律和调控方法研究”等项目的研究工作,发表SCI、EI论文二十余篇。所在团队获?021年度江苏省高校优秀科技创新团队?021年入选江苏省科技厅“科技副总”计划、/div>
邓二干/div>

教授

邓二?1989),男,教授,博士,“黄山学者”优秀青年,中国能源学会专家委员,2013年哈尔滨工业大学获得学士学位?018年华北电力大学获得博士学位,2018?月留校任?2018年~2022年华北电力大??018?0月,德国开姆尼茨工业大2年学博士后,2022?月,合肥工业大学教授。第二完成人?021年电工技术学会技术发明二等奖1项,主持、参与多项国家项目和企业项目(30余项),发表高水平论文70余篇,其中SCI检索论?0余篇,申请专?0余项。研究方向为功率器件(IGBT、SiC MOSFET和GaN器件)封装、可靠性和失效机理研究,如可靠性测试方法、测试技术、失效分析以及寿命状态监测等、/div>

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温馨提示9/span>

1、如有任何疑问都可以添加助教微信号, 助教会及时通过并解筓/span>

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