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XR-100SDD垊/strong>X射线硅漂移探测器
125eV的能量分辨率?/p>采用电冷技?无需液氮?/strong>
国span>1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5
国span>2.硅漂移探头元件示意图
XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零上span>55摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采?span>TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的?span>X射线探测、/span>
XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破、/span>
产品特性：
1. 高计数率?00?00 CPS(每秒计数 counts per second)：/p>
2. 能量分辨率：125eV（半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV的情况）：/p>
3. 高峰本比?0?00:1?ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical) ：/p>
4. 面积25mm2，厚?00?m：/p>
5. 内置多层准直器；
6. 不需要液氮制冷、/p>
应用范围９/strong>
1. X射线荧光分析：/p>
2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪：/p>
3. OEM和其他专业应用；
4. 生产工艺流程反馈控制：/p>
5. 高校和科研院所实验室研究；
产品参数９/strong>
本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求、/p>
I. 高能量分辨应用：
1. 超高能量分辨率：125eV（对应峰值为5.9keV的情况）：/p>
2. 峰化时间(Peaking time)?1.2?s：/p>
3. 计数率：100?00 CPS：/p>
4. 峰本比：?0?00:1：/p>
II. 快速峰化应用：
1. 能量分辨率：155eV（对应峰值为5.9keV的情况）：/p>
2. 峰化时间(Peaking time)?.8?s：/p>
3. 计数率：500?00 CPS：/p>
III. 手持设备应用９/span>
1. 能量分辨率：150eV（对应峰值为5.9keV的情况）：/p>
2. 峰化时间(Peaking time)?.2?s：/p>
3. 探测器探头温度保持在250K?24oC（/p>
4. 计数率：200?00 CPS：/span>
XRF设备由此开 ... ...
国span>3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得皃sup>55Fe能谱
产品说明
XR-100SDD型硅漂移探测器（SDD）是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器，它标志着X射线探测器生产工艺的变革、/span>XR-100SDD因其体积小，性能优越且价格便宜等特点，是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套、/p>
硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品、/p>
同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多，则所需成型时间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电极结构是特制的、/span>
产品参数
| 常规参数 | |
| 探头类型 | 硅漂移探测器(SDD) |
| 探头尺寸 | 25mm2 |
| 硅晶体厚?/span> | 500m |
| 准直?/span> | 内置多层准直?ML) |
| 能量分辨?@55Fe 5.9keV? | 125-140eV FWHM (11.2s峰化时间) |
| 峰本?Peak to Background) | 20?00:1 (5.9keV?keV计数?典型皃/span> |
| ?Be)窗厚?/span> | 0.5mil (12.5m) |
| 电荷敏感型前置放大器 | Amptek定制可复位放大器 |
| 增益稳定性（温飘（/span> | <20ppm> oC (一般情况下) |
| 外壳尺寸 | 3 x 1.75 x 1.13 inch 7.6 x 4.4 x 2.9 cm |
| 重量 | 4.4 ounces (125g) |
| 总功玆/span> | <1W |
| 保修朞/span> | 一平/span> |
| 产品寿命 | 五到十年，因具体应用而异 |
| 环境温度 | 0~+50oC |
| 仓储和物流要汁/span> | 长时间仓储：干燥条件下存放十年以三/p> 仓储/物流需求：-20?50oC?0%?0%湿度（无冷凝器） |
| TUV Certification Certificate #: CU 72072412 02 Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05 CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004 |
|
| 输出参数 | |
| 前置放大器电溏/span> | 电压正负8?V，电?5mA，噪声峰峰值小?0mV |
| 探头电源 | 电压-90?150V，电?5A：/p> 输入需要非常稳定：<0.1%的波动、/span> |
| 制冷器电溏/span> | **电压3.5V?*电流350mA，噪声峰峰值小?00mV：/p> 注意：XR-100SDD探测器自身包含温度控制器 |
| 输出参数 | |
| 前置放大器灵敏度 | 一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同（/span> |
| 前置放大器极?/span> | 正脉冲信号输出（**负载?k欧姆（/span> |
| 前端放大器反馇/span> | 复位 |
| 温度显示灵敏?/span> | 利用PX5/X-123等直接读取温度（单位：开尔文（/span> |
| 可选配置或配件 | |
| X-123SDD | 硅漂移探测器（SDD）也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头，前置放大器，DP5数字脉冲处理和多道分析模块，以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接、/span> 包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品 |
| 真空配件 | 和所有Amptek真空配件兼容 |
| OEM | 和所有Amptek OEM配件兼容 |
注意事项９/strong>
1.硅漂移探测器需要负高压，而前放输出为正脉冱/span>、/p>
这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压，而前方输出为负脉冲正好相反；
2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块，则PX5必须设置丹span>负高压输凹/span>、/p>
在使用XR-100CR探测器时，因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内、/p>
而使用XR-100SDD探测器时，因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏?span>不在保修范围之内、/span>
准直器的使用
为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器、/p>
探测器有效面?active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生、/p>
不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号、/span>
真空环境中的应用
XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案９/p>
1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部９/p>
a. 为保证XR-100SDD的正常工作，需避免器件过热，并做好输入?W功率的良好导热；即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上；
b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（?DVF型，九接口）连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源、/p>
2) XR-100SDD全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型加长管，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O圈密封）配套、/span>
?. 真空条件使用中可选的延长组件
?. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用（定制法兰?个SDD探测器）
其他系统说明及性能曲线
?. SDD的能量分辨率和峰化时间曲纾/p>
?. Si-PIN和SDD探测器的分辨?峰化/成形时间曲线对比
?. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线（SDD配套DP5使用（/span>
该图也表示了**输出计数率曲线（黑色虚线）。而系统工作参数在该曲线右边区域时，尽管输入计数率很高，但输出计数率仍会小?*值，具体情况见下?、/span>
?. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线（输出效率）
由于SDD探测器具有更小的电容，在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6s或更小的成形时间，这极大提高了系统的输出效率、/span>
?0. 使用SDD得到皃sup>55Fe能谱
?1. 不同峰化时间上/span>SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲纾/span>
?2. 综合考虑铍窗（及保护膜）的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线、/span>
曲线的低能量部分由铍窗厚度决定（0.3mil/8m?.5mil/12.5m），而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定?00m、/p>
传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答?zip格式文件，仅提供基本信息＋span>不能作为定量分析依据、/span>
SDD应用中的各种能谱国/span>
利用高性能硅漂移探测器（Super SDD）和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谰
?3. SS316型不锈钢
?4. PVC样品（RoHS/WEEE标准（/p>
?5. CaCl2溶液?00ppm Ca 1200 ppm Cl（/p>
?6. 含有少量KCl的原油（1100ppm）中的S元素
?7. 汽车催化剁/p>
?8. 铂金(Pt)戒指
完整的X射线荧光谱仪（XRF）系绞/span>
?9. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生?/span>
完整的XRF系统包括９/span>
1. XR-100SDD型硅漂移探测器；
2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析器及电源；
3. Mini-X型USB控制X射线管；
4. XRF-FP定量分析软件：/p>
5. MP1型XRF系统安装平台、/span>
更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：、/span>
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