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主要优势

工艺过程低应劚�/p>

低耗材成本COC和运营成本COO

低排放可保护环境

特性和规格

整合了无应力抛光、化学机械研磨、湿法刻蚀、干法刻蚀工艺

电抛光液和湿法刻蚀液可实时循环使用

减少化学和耗材使用野�/p>

设备尺寸（mm）：4100(�?*2600(�?*2650(�?

关键应用

序号	应用	描述	使用化学
1	双大马士革工艺超低K铜互违�/td>	CMP+SFP+Clean+TFE	Slurry,Electrolyte,DHF,Xef2
2	双大马士革工�?nm及以下钌阻挡层互连结枃�/td>	CMP+SFP+Clean+Wet Etch	Slurry,Electrolyte,Etchant
3	晶圆级封裄�br style="box-sizing: border-box; outline: 0px; padding: 0px; margin: 0px;"/>�?D硅通孔�?.5D转接板，再布线，扇出（�/td>	CMP+SFP+Clean+Wet Etch	Electrolyte,Slurry,Etchant