新安纳新专利,碳化硅抛光能力节节高


来源:www.188betkr.com 山林

[导读]上海新安纳电子科技有限公司申请碳化硅精抛液专利,抛光质量和速率得以提升。

www.188betkr.com 讯2024年11月26日,国家知识产权局信息显示,上海新安纳电子科技有限公司申请一项名为“一种碳化硅精抛液”的专利,此专利能提升抛光液的抛光质量和速率。


发明专利申请 来源:国家知识产权局


新安纳:专门致力于电子级纳米磨料和抛光液技术开发、生产、销售和服务的高科技企业


上海新安纳电子科技有限公司成立于2008年7月,是一家专门致力于电子级纳米磨料和抛光液技术开发、生产、销售和服务的高科技企业。


公司厂房面积为3400m2,其中包括万级和局部百级的净化室,建有先进的电子级磨料和抛光液生产线,拥有完整的磨料和抛光液制备、检测、抛光验证系统,按ISO9000质量体系进行管理,是目前中国技术领先的电子级胶体二氧化硅、蓝宝石抛光液和硅片抛光液供应商,产品质量和技术能力得到了国内外知名公司的认可,多款产品已经成功替代美国进口,如卡博特公司(Cabot)和圣戈班公司等。


上海新安纳电子科技有限公司 来源:新安纳官网


公司注重新产品的开发和质量的提升,与国内外著名研究机构、国际知名半导体公司共同成立抛光材料联合实验室,形成产、学、研联盟,并承担了国家“十一五”、“十二五”重大专项、863、973、上海市科委重点等项目,荣获多项荣誉。


来源:新安纳官网


经过十多年的发展,新安纳公司实现了从原料硅溶胶到成品抛光液的全产业链整合,实现国内LED市场占有率达6成以上,遥遥领先同类其它企业。


新专利助力提高抛光液抛光质量、提升抛光液抛光速率


上海新安纳电子科技有限公司有着10多年的CMP化学机械抛光液行业经验,产品包括蓝宝石抛光液、碳化硅抛光液、氧化铝抛光液、硅片抛光液、LT钽酸锂(LiTaO3)抛光液、衬底抛光液、LED背面减薄抛光液、金属抛光液、不锈钢抛光液、铝合金抛光液、镜面抛光液等。


碳化硅(SiC)单晶材料作为第三代宽带隙半导体材料的代表,由于其具有禁带宽度大(~Si的3倍)、高热导率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高电子饱和迁移速率(~Si的2.5倍)、高击穿电场(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性,在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势,弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷,正逐渐成为功率半导体的主流。


来源:新安纳官网


公司此次发明公开的碳化硅精抛液相关专利,包括有研磨剂颗粒、双氧水、催化剂、催化剂助剂、分散剂、pH调节剂,余量为去离子水,研磨剂颗粒包括有氧化硅颗粒,催化剂包括有钨酸盐。此发明的碳化硅抛光液,充分发挥了催化剂?双氧水两者对碳化硅抛光高效的特性,相比于单纯的只含有双氧水的抛光液,拥有更高的氧化性。通过选择合理的磨料颗粒和氧化试剂并进行合理组合,使得抛光液的抛光质量、抛光速率亦获得很大提升,尤其适用于难加工的含硅表面的超精密光学器件或半导体功率器件的表面抛光,是理想的半导体化合物晶圆制造的亚纳米级光洁度的碳化硅抛光液材料。


参考来源:

[1] 金融界

[2] 国家知识产权局

[3] 新安纳官网


(www.188betkr.com 编辑整理/山林)

注:图片非商业用途,存在侵权告知删除!


推荐 3
相关新闻:
网友评论:
0条评论/0人参与 网友评论

版权与免责声明:

① 凡本网注明"来源:www.188betkr.com "的所有作品,版权均属于www.188betkr.com ,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:www.188betkr.com "。违者本网将追究相关法律责任。

② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

粉体大数据研究
  • 即时排行
  • 周排行
  • 月度排行
图片新闻