日本科学家在26日出版的《自然》杂志上报告说，他们开发出一种纯度极高的碳化硅晶体，以该晶体制成的半导体将大大提高电子设备的效率。如果这项技术能够推广到工业生产，将使电子业发生革命性的进步。
在碳化硅多种结晶类型中，立方体单结晶的电性能最佳。与硅相比，碳化硅的导电率高、抗辐射性好，并且可以在超高温下发挥作用。如果用碳化硅制成半导体，可大大减少电子设备的内部消耗，提高电子设备的效率。
多年以来，科学家一直希望用碳化硅代替硅来制作半导体。然而，高品质结晶不易培育。普通技术培育的晶体生长到几个厘米后就会出现明显的沟道，造成晶体短路，因此无法使用在电子设备中。
日本丰田中央研发实验室的科学家在《自然》杂志上报告说，他们采取了一种特殊的方式分阶段培育碳化硅晶体。在每一阶段，研究人员将晶体的生长控制在最干净的一个表面上。热的碳化硅蒸气逐渐沉积，当晶体的边扩展到7厘米时，其上的沟道就逐渐消失了。研究人员报告说，这种方法培育出的晶体的沟道数量只有传统方式培育出的晶体的沟道数量的1%。
英国电子专家在接受《自然》杂志采访时说，碳化硅半导体的发展前景广阔。使用硅半导体的电子设备，有50%的电能内耗掉了。如果采用碳化硅，可使电能利用效率提高到70%。
在碳化硅多种结晶类型中，立方体单结晶的电性能最佳。与硅相比，碳化硅的导电率高、抗辐射性好，并且可以在超高温下发挥作用。如果用碳化硅制成半导体，可大大减少电子设备的内部消耗，提高电子设备的效率。
多年以来，科学家一直希望用碳化硅代替硅来制作半导体。然而，高品质结晶不易培育。普通技术培育的晶体生长到几个厘米后就会出现明显的沟道，造成晶体短路，因此无法使用在电子设备中。
日本丰田中央研发实验室的科学家在《自然》杂志上报告说，他们采取了一种特殊的方式分阶段培育碳化硅晶体。在每一阶段，研究人员将晶体的生长控制在最干净的一个表面上。热的碳化硅蒸气逐渐沉积，当晶体的边扩展到7厘米时，其上的沟道就逐渐消失了。研究人员报告说，这种方法培育出的晶体的沟道数量只有传统方式培育出的晶体的沟道数量的1%。
英国电子专家在接受《自然》杂志采访时说，碳化硅半导体的发展前景广阔。使用硅半导体的电子设备，有50%的电能内耗掉了。如果采用碳化硅，可使电能利用效率提高到70%。
